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BSC047N08NS3 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 90µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 40V; 功率_最大：125W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包装：带卷 (TR)

BSC047N08NS3 G供应商

BAT86,113
单二极管/整流器 NXP Semiconductors DO-204AG，DO-34，轴向 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34
C3CCG-1606G-ND
矩形 CW Industries DO-204AG，DO-34，轴向 IDC CABLE - CKC16G/AE16G/CKC16G
7-1877848-1
连接器，互连器件 TE Connectivity DO-204AG，DO-34，轴向 PLUG 10POS 80DEG GRY/BLU 4.0-5.2
B41605B7159M9
电容器 EPCOS Inc SNAP IN 15000UF 40V
BSC042N03S G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
BQ014D0823K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.082UF 63VDC RADIAL
BAT86,133
单二极管/整流器 NXP Semiconductors DO-204AG，DO-34，轴向 DIODE SCHOTTKY 50V 200MA DO-34
B43514L567M87
电容器 EPCOS Inc 560UF 420V 40X50 SNAP 4-PIN
7-1879005-1
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2512（6432 公制） RES 9.10M OHM 1W 5% 2512
B41605B8278M2
电容器 EPCOS Inc SNAP IN 2700UF 63V
BQ014E0103J
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 10000PF 100VDC RADIAL
BAT-HLD-001-THM
电池座，夹，触点 Linx Technologies Inc 径向 RETAINER BATT CR2025/2032 PC PIN
B43514L5827M7
电容器 EPCOS Inc 820UF 450V 45X60 SNAP 4-PIN
7-1879011-3
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2615 J 形引线 RES 220K OHM 2W 5% SMD
C3CCG-2018M-ND
矩形 CW Industries 2615 J 形引线 IDC CABLE - CKC20G/AE20M/CKC20G

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